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BSD3A051VB

ESD Protection Diode

BORNSEMI

伯恩斯

BSD3A051V

USB Vbus

Features 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) Unidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 17A (8/20μs)

文件:564.83 Kbytes 页数:4 Pages

UMW

友台半导体

BSG0810NDI

TSDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSG0810NDI

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BSG0810NDIATMA1

TISON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

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更多BSD3A051VB供应商 更新时间2026-1-21 15:07:00