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BSDW20S65C6	文件：744.29 Kbytes Page：6 Pages	BSDW20S65C6 Silicon Carbide Schottky Diode Features n Low forward voltage drop, high efficiency n Low reverse leakage current n High peak forward surge current (IFSM) n Reduced EMI n Maximum operating TJ up to 175 °C n Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard n RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applic 文件：744.29 Kbytes 页数：6 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BSDW20S65C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅肖特基势垒二极管	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌
BSG0810NDIATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TISON-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON

技术参数

Io(AV)Max.(A)：
20
TjMax.(°C)：
175
VRRMMax.(V)：
650
QrTyp.(nC)：
24
RoHS Compliant：
BSDW20S65C6
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSDW20S65C6供应商更新时间2026-1-30 23:00:00

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