20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

丝印：265N10LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

Features • N-channel, logic level • Very low gate charge x R DS(on) product (FOM) • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • Low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • 150 °C operating

文件：433.46 Kbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS™2 Power-Transistor

• N-channel, logic level\n• Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)\n• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification\n• Low on-resistance RDS(on)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• Qualified according to JEDEC1) for target application\n• 150 °C operating temperature\;

Infineon

英飞凌

TDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传：深圳市威尔健半导体有限公司

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

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