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BSH103	文件：96.52 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode MOS transistor in a SOT23 SMD package. FEATURES • Very low threshold • High-speed switching • No secondary breakdown • Direct interface to C-MOS, TTL etc. APPLICATIONS • Power management • DC to DC converters • Battery powered applications • ‘Glue- 文件：96.52 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSH103	文件：1.85593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：1.85593 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
BSH103	文件：197.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES · Very low threshold · High-speed switching · No secondary breakdown · Direct interface to C-MOS, TTL etc. APPLICATIONS · Power management · DC to DC converters · Battery powered applications · ‘Glue-logic’; interface between logic blocks and/or periphery · General purpose swit 文件：197.85 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH103	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
BSH103BK	文件：288.26 Kbytes Page：13 Pages	丝印：UQ；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic Dis 文件：288.26 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH103BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
270
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
355
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.8
Ptot [max] (W)：
0.33
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
79.299995
Coss [typ] (pF)：
11.8
Release date：
2021-02-12

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