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BSC265N10LSFG	文件：433.46 Kbytes Page：10 Pages	Marking：265N10LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor Features •N-channel,logiclevel •VerylowgatechargexRDS(on)product(FOM) •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Lowon-resistanceRDS(on) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •150°Coperating	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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BSC265N10LSFG

文件：433.46 Kbytes

Page：10 Pages

Marking：265N10LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

Features •N-channel,logiclevel •VerylowgatechargexRDS(on)product(FOM) •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Lowon-resistanceRDS(on) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •150°Coperating

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
BSC265N10LSFG
制造商：
Infineon Technologies AG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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