BSC265N10LSFG中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	BSC265N10LSFG
功能描述	OptiMOS?? Power-Transistor
丝印标识	265N10LS
封装外壳	TDSON-8
文件大小	433.46 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 14:36:00
人工找货	BSC265N10LSFG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• N-channel, logic level

• Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Low on-resistance RDS(on)

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• 150 °C operating temperature

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

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