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BSC022N03	文件：298.84 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •N-channel •Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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BSC022N03SG	文件：383.79 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •Logiclevel/N-channel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BSC027N04LSG	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市实中创科技有限公司	INFINEON/英飞凌
BSC027N04LSG	文件：0 bytes Page：0 Pages	英飞凌/实单必成 TDSON-8	英飞凌/实单必成上传：深圳市拓芯泰电子科技有限公司	英飞凌/实单必成

详细参数

型号：
BSC022N03S G
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 28A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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