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BU806	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BU806	文件：108.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU806	文件：74.45 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BU806	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：134.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU806	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：48.21 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage: VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BU806	文件：101.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationmountedin aTO-220plasticpackage. Theyarehighvoltage,highcurrentdevicesforfastswitchingapplications. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BU806	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BU806	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
BS806C
制造商：
HOLTEK
制造商全称：
Holtek Semiconductor Inc
功能描述：
Touch Key

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更多BS806C供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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