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BS2103F-E2	文件：895.6 Kbytes Page：24 Pages	High voltage High & Low-side, Gate Driver	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BS2103F-E2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

产品属性

产品编号：
BS2103F-E2
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
60mA，130mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
200ns，100ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

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