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BS2103F-E2集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

BS2103F-E2
厂商型号

BS2103F-E2

参数属性

BS2103F-E2 封装/外壳为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

功能描述

High voltage High & Low-side, Gate Driver

封装外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

文件大小

895.6 Kbytes

页面数量

24

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
ROHM
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:10:00

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产品属性

  • 产品编号:

    BS2103F-E2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,2.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    60mA,130mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    200ns,100ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

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