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BS2103F-E2集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

BS2103F-E2

参数属性

BS2103F-E2 封装/外壳为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

功能描述

High voltage High & Low-side, Gate Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

封装外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

文件大小

895.6 Kbytes

页面数量

24

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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更新时间

2026-1-27 20:00:00

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BS2103F-E2规格书详情

BS2103F-E2属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由罗姆半导体集团制造生产的BS2103F-E2栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BS2103F-E2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,2.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    60mA,130mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    200ns,100ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

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