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BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES •Lowthresholdvoltage •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •Highspeedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Pchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS짰PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01Ω ContinuousdraincurrentID80A Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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