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BS109	文件：37.96 Kbytes Page：2 Pages	DMOS Transistors (N-Channel) 文件：37.96 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BS10A	文件：352.89 Kbytes Page：1 Pages	Thermocouple Terminals 文件：352.89 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
BS10-D	文件：79.19 Kbytes Page：1 Pages	NON-INSULATED BUTT SPLICE 文件：79.19 Kbytes 页数：1 Pages	PANDUIT	PANDUIT
BS10-E	文件：500.09 Kbytes Page：2 Pages	Convenience Pack Terminals 文件：500.09 Kbytes 页数：2 Pages	PANDUIT	PANDUIT
BS10-L	文件：79.19 Kbytes Page：1 Pages	NON-INSULATED BUTT SPLICE 文件：79.19 Kbytes 页数：1 Pages	PANDUIT	PANDUIT
BS1100N-2A1	文件：411.87 Kbytes Page：4 Pages	Eliminates overvoltage caused by fast rising transients 文件：411.87 Kbytes 页数：4 Pages	BENCENT 槟城电子	BENCENT
BS1100N-D1	文件：348.97 Kbytes Page：5 Pages	Eliminates overvoltage caused by fast rising transients 文件：348.97 Kbytes 页数：5 Pages	BENCENT 槟城电子	BENCENT
BS128HD8V	文件：1.57919 Mbytes Page：89 Pages	128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory 文件：1.57919 Mbytes 页数：89 Pages	AMD 超威半导体	AMD
BS128HD8VF	文件：1.57919 Mbytes Page：89 Pages	128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory 文件：1.57919 Mbytes 页数：89 Pages	AMD 超威半导体	AMD
BS128HD9V	文件：1.57919 Mbytes Page：89 Pages	128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory 文件：1.57919 Mbytes 页数：89 Pages	AMD 超威半导体	AMD

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晶体管资料

型号：
BST60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1048,2SD1470,2SD1472,2SD1511,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
hFE [min]：
2000
toff (ns)：
700
fT [min] (MHz)：
200
Polarity：
PNP
IC [max] (mA)：
500
VCES [max] (V)：
45
Ptot [max] (mW)：
1300
Complement：
BST50
hFE [max]：
>2000
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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