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FZT851	文件：53.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A 6Ampscontinuouscurrent,upto20Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltages ExcellenthFEcharacteristicsspecifiedupto10Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT851	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=6A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=60V ●ComplementarytoFZT951	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT851	文件：64.9 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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GI851	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI851	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE

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详细参数

型号：
BS-C851RD
功能描述：
SINGLE DIGIT LED DISPLAYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BS-C851RD供应商更新时间2025-7-29 17:00:00

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