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1N60	文件：1.08649 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
1N60	文件：282.69 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60	文件：623.4 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell1N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof1.2A,fastswitc	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
1N60	文件：141.56 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes VOLTAGERANGE:40V CURRENT:0.03A DO-35(GLASS) FEATURES Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforward	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60	文件：56.61 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
1N60	文件：110.55 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequireme	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
1N60	文件：274.64 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ◇Metalsiliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇F	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N60	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明辉电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60	文件：123.63 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N60	文件：1.03992 Mbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
1N60	文件：395.7 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
1N60	文件：3.55111 Mbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassCasePointContactGermaniumDiode PRODUCTFEATURE 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
1N60A	文件：218.61 Kbytes Page：8 Pages	0.5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60A	文件：788.99 Kbytes Page：5 Pages	1A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N60A	文件：67.97 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=1.0A@TC=25C •FEATURES •DrainCurrentID=1.0A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=12Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchingapplicationsinpowersupplies •Motorcontrols,highefficientDCtoDCconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
1N60A	文件：224.57 Kbytes Page：8 Pages	0.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60A	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLDBONDEDDIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N60A	文件：139.89 Kbytes Page：8 Pages	0.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60AisahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowe	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60A	文件：57.61 Kbytes Page：1 Pages	OptimizedforRadioFrequencyResponse OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N60C	文件：1.08643 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多BRI1N60供应商更新时间2024-5-21 16:36:00

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