BRD-SS-112L说明书PDF资料批发采购科信电子-114ic电子网

首页 >BRD-SS-112L>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
BRD-SS-112L	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率继电器	AFE 科信电子	AFE
BRD-SS-112LM	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率继电器	AFE 科信电子	AFE
BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE Blue Sensitive Photodiodes 文件：132.74 Kbytes 页数：3 Pages	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
BSH112	文件：290.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very fast switching ■ Logic level compatible ■ Subminiature surface mount package ■ Gate-source ESD protection diodes. c c Applications ■ 文件：290.23 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSH112	文件：391.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: BSH112 in SOT23. 2. Features n TrenchMOS™ technology n Very fast switching n Logic level compatible n Subminiature surface mount package n Gate-sourc 文件：391.21 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

更多BRD-SS-112L供应商更新时间2025-12-16 13:39:00