DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

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罗姆

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect) ●Features ・256×8 bit architecture serial EEPROM ・Wide operating voltage range: 1.7V-3.6V ・Two-wire serial interface ・High reliability connection using Au pads and Au wires ・Se

文件：1.18422 Mbytes 页数：20 Pages

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罗姆

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect) ●Features ・256×8 bit architecture serial EEPROM ・Wide operating voltage range: 1.7V-3.6V ・Two-wire serial interface ・High reliability connection using Au pads and Au wires ・Se

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DDR2/DDR3 SPD EEPROM

串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失性存储器，在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节(byte)为单位进行擦写，这样适合用来存放数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式，在世界上具有高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI)，而且工作电源电压范围宽(1.8 ～ 5.5V、2.5 ～ 5.5V)，还适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品，符 •存储器模块用SPD存储器\n•工作电压范围宽：1.7～5.5V\n•数据可擦写1,000,000次;

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Package：8-UFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC EEPROM 2KBIT I2C VSON008X2030

Rohm Semiconductor