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BR34E02NUX-W中文资料DDR2/DDR3 SPD EEPROM数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BR34E02NUX-W

参数属性

BR34E02NUX-W 封装/外壳为8-UFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 2KBIT I2C VSON008X2030

功能描述

DDR2/DDR3 SPD EEPROM
IC EEPROM 2KBIT I2C VSON008X2030

封装外壳

8-UFDFN 裸露焊盘

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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BR34E02NUX-W规格书详情

描述 Description

串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失性存储器,在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节(byte)为单位进行擦写,这样适合用来存放数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式,在世界上具有高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI),而且工作电源电压范围宽(1.8 ~ 5.5V、2.5 ~ 5.5V),还适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品,符合RoHS指令。

特性 Features

•存储器模块用SPD存储器
•工作电压范围宽:1.7~5.5V
•数据可擦写1,000,000次

简介

BR34E02NUX-W属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的BR34E02NUX-W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BR34E02NUX-W

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :VSON008X2030

  • 包装数量

    :4000

  • 最小独立包装数量

    :4000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :Plug and Play

  • Density [bit]

    :2K

  • Bit Format [Word x Bit]

    :256 x 8

  • Vcc(Min.)[V]

    :1.7

  • Vcc(Max.)[V]

    :3.6

  • Circuit Current (Max.)[mA]

    :1

  • Standby Current (Max.)[μA]

    :2

  • Write Cycle (Max.)[ms]

    :5

  • Input Frequency (Max.)[Hz]

    :400k

  • Endurance (Max.)[Cycle]

    :10(6)

  • Data Retention (Max.)[Year]

    :40

  • I/F

    :I2C BUS(2-Wire)

  • Operating Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Operating Temperature (Max.)[°C]

    :85

  • Package Size [mm]

    :2x3 (t=0.6)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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