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TF3622	文件：1.6872 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTF3622usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=25A RDS(ON)=	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF3622DS	文件：3.37271 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheTF3622DSisthehighestperformance trenchN-chMOSFETwithextremehighcell density,whichprovideexcellentRDSONand gatechargensformostofthesynchronous buckconverterapplications. TheTF3622DSmeettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguarante	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TNM-C3622TDR	文件：1.12431 Mbytes Page：5 Pages	Bi-SpectrumAIThermalCamera •Bi-spectrummonitoringwith2MPvisible&QVGAthermal •AIbasedObjectclassificationwithvisiblechannelonly(person) •RemoteTemperatureMonitoringwithin-20~130°Crange •6ofquadrangleROIareasfortemperaturemonitoring •CompactandLight-weightforIndoorpurpose	HANWHAVISIONHanwha Vision Co., Ltd. All rights Reserved. 韩华韩华集团	HANWHAVISION
VS3622AD	文件：1.1436 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VS3622AE	文件：1.37936 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WWSSD3622	文件：170.88 Kbytes Page：3 Pages	WorkWiseHeight-AdjustableSit-StandDesktopWorkstation,36x22in.MonitorPlatform	TRIPPLITE Tripp Lite. All Rights Reserved	TRIPPLITE
XLMG3622REQT	文件：1.2679 Mbytes Page：29 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XLMG3622REQT	文件：1.33869 Mbytes Page：30 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
YJQ3622A	文件：368.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

产品属性

产品编号：
BP3622
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频收发器模块和调制解调器
包装：
托盘
射频系列/标准：
通用 ISM < 1GHz
频率：
13.56MHz
数据速率：
212kbps
天线类型：
集成式，芯片
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
安装类型：
表面贴装型
工作温度：
-10°C ~ 50°C
封装/外壳：
模块
描述：
WIDE RANGE TYPE WIRELESS CHARGER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	BP3622	ROHM Semiconductor	Unknown		9	Rohm授权代理,自营现货	询价
深圳市德正通电子有限公司	BP3622	ROHM Semiconductor	23+		9	原装正品现货,德为本,正为先,通天下!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	BP3771	TI	24+	DIP-8	5000		询价
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更多BP3622供应商更新时间2025-7-17 14:01:00

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