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HF2836	文件：329.23 Kbytes Page：11 Pages	CommonModeChokeCoilsLineFiltersForpowerline,Closedmagneticcircuitcoretype	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
HM2836D	文件：528.31 Kbytes Page：7 Pages	High-precisionnon-isolatedstep-downLEDconstantcurrentdriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HSB2836	文件：85.07 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSM2836C	文件：148.79 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MC2836	文件：60.88 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulatedDiodes [TEL] SWITCHINGDIODE FEATURES PowerdissipationPD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrentIF:300mA ReverseVoltageVR:50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MC2836	文件：61.4 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES PowerdissipationPD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrentIF:300mA ReverseVoltageVR:50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MC2836	文件：239.27 Kbytes Page：4 Pages	SMALL-SIGNALDIODE DESCRIPTION MC2836isasuperminipackageplasticsealtypesiliconepitaxialtypedoublediode,especiallydesignedforhighspeedswitchingapplication. Duetothesmallpincapacitance,shortswitchingtime(reverserecoverytime),Itismostsuitableforhighspeedswitchingapplicationand	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
MC2836	文件：3.58375 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES ●Highspeedswitching ●Lowcapacitance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MC2836	文件：266.37 Kbytes Page：3 Pages	FORHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONSILICONEPITAXIALTYPE	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
MMBD2836	文件：152.79 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Highspeedswitching:trr=4.0ns(max) ●Lowcapacitance:CT=2.5pF(typ.) APPLICATIONS ●Smallsignalswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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技术参数

PF：
0.5
Internal MOSRdson（Ω）：
3
Internal MOSBVDSS（V）：
500
Open circuitprotection：
External
Iout@Vo=72V（mA)(Vin=176V-265V)：
<350
Iout@Vo=36V（mA)(Vin=176V-265V)：
<480

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