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BM112-QOEA-ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	单节锂电池保护IC	BYD 比亚迪半导体	BYD
BM112-RCFA-ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	单节锂电池保护IC	BYD 比亚迪半导体	BYD
BM112-UCEC-CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	单节锂电池保护IC	BYD 比亚迪半导体	BYD
BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE Blue Sensitive Photodiodes 文件：132.74 Kbytes 页数：3 Pages	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
BSH112	文件：290.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very fast switching ■ Logic level compatible ■ Subminiature surface mount package ■ Gate-source ESD protection diodes. c c Applications ■ 文件：290.23 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSH112	文件：391.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: BSH112 in SOT23. 2. Features n TrenchMOS™ technology n Very fast switching n Logic level compatible n Subminiature surface mount package n Gate-sourc 文件：391.21 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

更多BM112供应商更新时间2025-12-25 8:20:00