BLV11数据手册恩XP中文资料规格书
BLV11规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-voltage to 16,5 V. It has a 3/8\" flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
技术参数
- 型号：
BLV11
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
3252 |
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PHI |
20+ |
高频管 |
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