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BLV10中文资料VHF power transistor数据手册NJS规格书

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厂商型号

BLV10

功能描述

VHF power transistor

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-24 22:30:00

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技术参数

  • 型号:

    BLV10

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

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