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BLU9H0408L-800P数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLU9H0408L-800P

参数属性

BLU9H0408L-800P 封装/外壳为SOT-539A;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY

功能描述

UHF power LDMOS transistor
BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY

封装外壳

SOT-539A

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:03:00

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BLU9H0408L-800P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BLU9H0408L-800P规格书详情

描述 Description

A 800 W LDMOS power transistor for UHF radar applications in the frequency range from 400 MHz to 800 MHz.

特性 Features

• Designed for broadband in UHF radar applications
• High efficiency
• Integrated dual sided ESD protection
• Excellent ruggedness
• High power gain
• Excellent reliability
• Excellent stability
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

应用 Application

• RF power amplifiers for UHF radar applications in the 400 MHz to 800 MHz frequency range

简介

BLU9H0408L-800P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLU9H0408L-800P晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLU9H0408L-800P

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :20.5

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :67.5

  • PL(1dB) (W)

    :800.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :59.0

  • Test Signal

    :Pulsed RF

  • Fmin (MHz)

    :400

  • Fmax (MHz)

    :800

  • Status

    :Production

  • Matching

    :I/O

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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QFN-32
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