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BLS7G2933S-150中文资料LDMOS S-Band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLS7G2933S-150 |
| 参数属性 | BLS7G2933S-150 封装/外壳为SOT-922-1；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221 |
| 功能描述 | LDMOS S-Band radar power transistor |
| 封装外壳 | SOT-922-1 |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 22:59:00 |
| 人工找货 | BLS7G2933S-150价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLS7G2933S-150规格书详情
描述 Description
150 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.9 GHz to 3.3 GHz range.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
High flexibility with respect to pulse formats
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (2.9 GHz to 3.3 GHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
Radar applications in the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range
S-Band power amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：BLS7G2933S-150
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：13.5
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：47.0
- PL(1dB) (W)
：150.0
- PL(1dB) (dBm)
：51.8
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：2900
- Fmax (MHz)
：3300
- Status
：Production
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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Ampleon USA Inc. |
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恩XP |
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