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BLF8G10LS-300P中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLF8G10LS-300P |
| 参数属性 | BLF8G10LS-300P 封装/外壳为SOT-539B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-539B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | BLF8G10LS-300P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF8G10LS-300P规格书详情
描述 Description
300 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from700 MHz to 1000 MHz.
特性 Features
Excellent ruggedness
High efficiency
Low Rth providing excellent thermal stability
Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
Internally matched for ease of use
Integrated ESD protection
Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
应用 Application
RF power amplifier for multi standards and multi carrier applications in the700 MHz to 1000 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：BLF8G10LS-300P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：20.5
- PL(AV) (W)
：65.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：32.0
- PL(1dB) (W)
：300.0
- PL(1dB) (dBm)
：54.8
- Test Signal
：2-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
：700
- Fmax (MHz)
：1000
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
24+ |
NA/ |
45 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SMD |
914 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
19+ |
SOT539B |
6380 |
只做原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
恩XP |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Belling |
24+ |
CSP8 |
18766 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
PHI |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
