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BLF8G10LS-160V中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书

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厂商型号

BLF8G10LS-160V

参数属性

BLF8G10LS-160V 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:TRANS RF PWR LDMOS 160W SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封装外壳

SOT-502B

制造商

Ampleon Ampleon Netherlands B.V.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-9-23 21:31:00

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BLF8G10LS-160V规格书详情

描述 Description

160 W LDMOS power transistor with improved video bandwidth for base station applications at frequencies from 925 MHz to 960 MHz.

特性 Features

Excellent ruggedness
High efficiency
Low Rth providing excellent thermal stability
Decoupling leads to enable improved video bandwidth (60 MHz typical)
Designed for broadband operation (925 MHz to 960 MHz)
Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
Internally matched for ease of use
Integrated ESD protection
Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC

应用 Application

RF power amplifiers for W-CDMA base stations
Multicarrier applications in the 925 MHz to 960 MHz frequency range

技术参数

  • 制造商编号

    :BLF8G10LS-160V

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :19.9

  • PL(AV) (W)

    :35.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :30.0

  • ηD (%)

    :30.0

  • PL(1dB) (W)

    :160.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :52.0

  • Test Signal

    :2-c W-CDMA

  • Fmin (MHz)

    :925

  • Fmax (MHz)

    :960

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :I/O

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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