BLF182XR数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BLF182XR |
| 参数属性 | BLF182XR 封装/外壳为SOT-1121B；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-1121B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 16:30:00 |
| 人工找货 | BLF182XR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF182XR规格书详情
描述 Description
A 250 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band.
特性 Features
Easy power control
Integrated double sided ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
应用 Application
Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications
简介
BLF182XR属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF182XR晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：BLF182XR
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：28.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：75.0
- PL(1dB) (W)
：250.0
- PL(1dB) (dBm)
：54.0
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：10
- Fmax (MHz)
：600
- Status
：Production
- Matching
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Ampleon |
24+ |
SMD |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
AMPLEON |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AMPLEON |
23+ |
MOSFET |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Ampleon |
25+ |
SOT1121A |
10 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 |
