Power LDMOS transistor

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飞利浦

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Base station LDMOS transistor

DESCRIPTION\n125 W LDMOS power transistor for base station\napplications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz.FEATURES\n• Typical performance at a supply voltage of 27 V:\n– 1-tone CW; IDQ = 1000 mA\n– Output power = 125 W\n– Gain = 16.5 dB\n– Efficiency = 54%\n– EDGE output power = 45 W (AV) • Typical performance at a supply voltage of 27 V:\n– 1-tone CW; IDQ = 1000 mA\n– Output power = 125 W\n– Gain = 16.5 dB\n– Efficiency = 54%\n– EDGE output power = 45 W (AV)\n– ACPR400 = −64 dBc at 400 kHz\n(EDGE; IDQ = 750 mA)\n– EVM = 2% rms (AV)\n(EDGE; IDQ = 750 mA)\n• Easy power control;

恩XP

场效应管(MOSFET)

Ampleon

安谱隆

场效应管(MOSFET)

Ampleon

安谱隆

Package：SOT-538A；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A

Ampleon USA Inc.

Package：SOT-467C；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C

Ampleon USA Inc.

Package：SOT-467C；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C

Ampleon USA Inc.