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BL50N03D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V,60A,8.5 mΩ,N-Channel Small Signal MOSFET	Galaxy 银河微电	Galaxy
CJU50N03	文件：1.27028 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.27028 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJU50N03	文件：3.27466 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：3.27466 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D50N03L	文件：337.49 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET Description This product utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(on)*Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses reduc 文件：337.49 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

PD (W) max.：
41
V(BR)DSS (V) min.：
30
ID (A) max.：
60
RDS (on) (mΩ) max@10V：
8.5
RDS (on) (mΩ) max@4.5V：
14
VGS(th) (V) min.：
1.2
VGS(th) (V) max.：
2.5
VGS (V)：
±20
Package Outlines：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BL50N03D供应商更新时间2025-11-5 9:02:00

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