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BL045N10THB

110A, 100V, 178W, N Channel, Power MOSFETs

Galaxy

银河微电

FDI045N10A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 164 A, 4.5 m廓

文件:317.23 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP045N10A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.5m

文件:751.27 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP045N10A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 164A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.5 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:332.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • AEC Qualified:

    NO

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • Channel Polarity:

    N

  • ESD:

    N

  • TJ(°C)max.:

    150

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • PD(W)Max.:

    178

  • V(BR)DSS(V)Min.:

    100

  • VGS(V)Max.:

    ±20

  • ID(A)Max.:

    110

  • IGSS(uA)Max.:

    ±0.1

  • VGS(th)(V)Max.:

    4

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.:

    3.5

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.:

    4.5

  • ECCN(US):

    EAR99

  • Category:

    中低压功率MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GALAXY/银河微
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更多BL045N10THB供应商 更新时间2025-11-1 12:00:00