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MBR835	文件：112.18 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR835	文件：428.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR835	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR835	文件：234.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Thepl	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR835	文件：428.73 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR835RL	文件：138.45 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB835	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Gu	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBRD835	文件：137.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD835	文件：246.37 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBRD835	文件：754.62 Kbytes Page：4 Pages	MBRD835SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	BL-HG835A-TRB-Q	BRIGHT/佰鸿	25+	SMD	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BL-HG836D-TRB	BRIGHT	20+	LED	83000	LED原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BL-HG836D-TRB	HSF	23+	SMD	2500	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市中福国际管理有限公司	BL-HG836D-TRB	HSF	20+	SMD	2500	进口原装现货,假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	BL-HG836D-TRB	HSF	21+	SMD	2500	原装现货假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BL-HG836G-AV-TRB-Q	BRIGHT/佰鸿	23+	0603	8800000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市乐创天科技有限公司	BL-HG836G-T	BRIGHT/佰鸿	2011	SMD	6060	全新原装正品现货	询价
深圳兆威电子有限公司	BL-HG836G-TRB	佰鸿	22+	SMD	586000	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BL-HG836G-TRB	BRIGHT/佰鸿	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	BL-HG836G-TRB	BRIGHT/佰鸿	24+	NA/	52517	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多BL-HG835A-TRB-Q供应商更新时间2025-5-25 17:02:00

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