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BIDW20N60T	文件：1.32827 Mbytes Page：10 Pages	BIDW20N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW20N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BIDW20N60T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
BRA20N60	文件：1.30849 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-262PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRF20N60	文件：1.28603 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DAM20N60F	文件：272.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FCA20N60	文件：694.67 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60	文件：790.22 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60	文件：775.46 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
BIDW20N60T
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，20A
开关能量：
1mJ（开）， 300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/48ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

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