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BIDW20N60T	文件：1.32827 Mbytes Page：10 Pages	BIDW20N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW20N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris 文件：1.32827 Mbytes 页数：10 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BIDW20N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT管/模块	Bourns 伯恩斯	Bourns
BIDW20N60T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N	Bourns Inc.	Bourns Inc.
BRA20N60	文件：1.30849 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package 文件：1.30849 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BRF20N60	文件：1.28603 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package 文件：1.28603 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
CS20N60F	文件：435.64 Kbytes Page：10 Pages	Fast Switching General Description： CS20N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sy 文件：435.64 Kbytes 页数：10 Pages	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO

产品属性

产品编号：
BIDW20N60T
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，20A
开关能量：
1mJ（开）， 300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/48ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

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