BGS14PN10数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

描述 Description

BGS14PN10 是单刀四掷 (SP4T) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由两个简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。BGS14PN10 为 UL (B1 + B3)、(B2 + B4)、DL-CA (B4 + B12) 和 SV-LTE (B5 + B13) 启用关键频段组合。该设备处理非常高达 38 dBm 的发射信号电平，同时损耗较低，以节省电池电量。超高线性度器件对系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS14PN10 代表在所有频率上均具有一流的 ISO 和 IL 性能。

特性 Features

• 最高射频功率：38 dBm
• 两个超低损耗端口（RF1 和 RF3）：
• 0.19 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.29 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.51 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
• 1.20 dB @ f=3.8 GHz，PIN=33dBm
• 1.90 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
• 两个低损耗端口（RF2 和 RF4）：
• 0.32 dB @ f=0.9
• GHz，PIN=38dBm 0.40 dB @ f=1.9 GHz， PIN=38dBm
• 0.64 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
• 1.19 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm
• 1.78 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
• 如果未在 RF
• 端口上施加外部直流电，则无需直流去耦元件
• 高 ESD 稳健性
• 低谐波产生
• 高线性度
• RF1/RF3 72 dBm IIP3
• RF2/RF4 74 dBm IIP3
• 无需电源阻断
• 电源电压范围：1.8 至 3.6V
• 电源电压范围内无插入损耗变化
• 电源电压范围内线性度无变化范围
• 0.5 至 6.0 GHz
• 覆盖范围 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
• 400 µm 焊盘间距
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

简介

BGS14PN10属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的BGS14PN10射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。