BGS13S4N9中文资料适用于物联网和 5G 应用的射频开关数据手册Infineon规格书

描述 Description

BGS13S4N9 RF MOS 开关专为手机和移动应用而设计。3 个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端，处理功率高达 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 耐受性。该 SP3T 具有低插入损耗和高抗天线端口干扰信号的鲁棒性，并且在终端模式下具有低谐波产生。片上控制器集成了 CMOS 逻辑和电平转换器，由 1.35 V 至 VDD 的控制输入驱动。BGS13S4N9 射频开关采用英飞凌专利的 CMOS 技术制造，具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成性。

特性 Features

• 3 条高线性 TRx 路径，功率处理能力高达 30 dBm
• 低插入损耗 @2.7GHz 0.55 dB
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

简介

BGS13S4N9属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的BGS13S4N9射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。