BG5120K数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
BG5120K |
参数属性 | BG5120K 封装/外壳为6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363 |
功能描述 | Dual N-Channel MOSFET Tetrode |
封装外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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BG5120K规格书详情
简介
BG5120K属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BG5120K晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
BG5120KH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
2 N-通道(双)
- 频率:
800MHz
- 增益:
23dB
- 额定电流(安培):
20mA
- 噪声系数:
1.1dB
- 封装/外壳:
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
PG-SOT363-PO
- 描述:
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
80000 |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
25+ |
SOT363 |
20000 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT363 |
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INFINEON |
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INFINEON |
23+ |
SOT-363 |
30296 |
原厂原装正品 |
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