BG3130R中文资料RF Mosfet数据手册Infineon规格书

描述 Description

DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

特性 Features

·Two gain controlled input stage for UHF and VHF -tuners e.g. (NTSC, PAL)
·Two AGC amplifiers in one single package
·Integrated gate protection diodes
·High AGC-range, low noise figure, high gain
·Improved cross modulation at gain reduction
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

应用 Application

·Set Top Box
·TV

简介

BG3130R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BG3130R晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。