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BG3123中文资料RF-MOSFET - Package: SOT363数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BG3123

参数属性

BG3123 封装/外壳为6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

功能描述

RF-MOSFET - Package: SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

封装外壳

6-VSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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BG3123规格书详情

简介

BG3123属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BG3123晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BG3123H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    2 N-通道(双)

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    25dB

  • 额定电流(安培):

    25mA,20mA

  • 噪声系数:

    1.8dB

  • 封装/外壳:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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