BG3430R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BG3430R |
| 参数属性 | BG3430R 封装/外壳为6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封装外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | BG3430R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BG3430R规格书详情
简介
BG3430R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BG3430R晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
BG3430RH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
2 N-通道（双）
- 频率：
800MHz
- 增益：
25dB
- 额定电流（安培）：
25mA
- 噪声系数：
1.3dB
- 封装/外壳：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
PG-SOT363-PO
- 描述：
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
Infineo |
24+ |
SOT-363 |
80000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT-363 |
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Infineon |
25+ |
SOT-363 |
15000 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT-363 |
32000 |
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询价 | ||
Infineon |
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SOT-363 |
15000 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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INFINEON |
24+ |
NA |
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INFINEON |
23+ |
SOT-363 |
63000 |
原装正品现货 |
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SOT-363 |
23+ |
NA |
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