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BG35G12H13L4中文资料IGBT模块数据手册BYD规格书

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厂商型号

BG35G12H13L4

功能描述

IGBT模块

制造商

BYD BYD Microelectronics Co.,Ltd.

中文名称

比亚迪半导体 比亚迪半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 19:09:00

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BG35G12H13L4规格书详情

描述 Description

比亚迪IGBT电源模块BG35G12H13L4具有低开关损耗特性,高功率和热循环能力,引入了先进的IGBT芯片/ FWD,改进了连接方式。

特性 Features

• 1200V平面场阻技术
• 低传导和开关损耗
• 温度系数为正的VCEsat

应用 Application

•  辅助逆变器
• 伺服驱动
• 马达驱动器
• 医疗应用

技术参数

  • 制造商编号

    :BG35G12H13L4

  • 生产厂家

    :BYD

  • 额定电压(V)结温=25℃

    :1200

  • 额定电流(A)

    :35

  • 饱和压降结温=25℃(V)

    :2.05

  • 关断损耗(mJ)结温=25℃

    :2.3

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