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BG35G12H13L4中文资料IGBT模块数据手册BYD规格书
BG35G12H13L4规格书详情
描述 Description
比亚迪IGBT电源模块BG35G12H13L4具有低开关损耗特性,高功率和热循环能力,引入了先进的IGBT芯片/ FWD,改进了连接方式。
特性 Features
• 1200V平面场阻技术
• 低传导和开关损耗
• 温度系数为正的VCEsat
应用 Application
• 辅助逆变器
• 伺服驱动
• 马达驱动器
• 医疗应用
技术参数
- 制造商编号
:BG35G12H13L4
- 生产厂家
:BYD
- 额定电压(V)结温=25℃
:1200
- 额定电流(A)
:35
- 饱和压降结温=25℃(V)
:2.05
- 关断损耗(mJ)结温=25℃
:2.3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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