BFS17S分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BFS17S |
参数属性 | BFS17S 封装/外壳为6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363 |
功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
封装外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
72.2 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 20:00:00 |
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BFS17S规格书详情
BFS17S属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFS17S晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
BFS17SH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
1.4GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3dB ~ 5dB @ 800MHz
- 功率 - 最大值:
280mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 2mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
25mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
PG-SOT363-PO
- 描述:
RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
1531 |
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询价 | ||
PHI |
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SOT363 |
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INFINEON |
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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INFINEON |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
8900 |
新进库存/原装 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
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