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BFS17P分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFS17P
厂商型号

BFS17P

参数属性

BFS17P 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN SOT23-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

44.72 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-22 20:00:00

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BFS17P规格书详情

BFS17P属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFS17P晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon RF Transistor

• For broadband amplifiers up to 1 GHz at

collector currents from 1 mA to 20 mA

• Pb-free (RoHS compliant) package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFS17PE6752HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    1.4GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3.5dB @ 800MHz

  • 功率 - 最大值:

    280mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 2mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    RF TRANS NPN SOT23-3

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