BFS17N分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFS17N |
| 参数属性 | BFS17N 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN RF TRANSISTOR IN SOT-23 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
126.42 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | BFS17N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFS17N规格书详情
特性 Features
• 3.2GHz unity gain for RF switching applications
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
Applications
• RF switch
产品属性
- 产品编号：
BFS17NTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
11V
- 频率 - 跃迁：
3.2GHz
- 功率 - 最大值：
330mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
56 @ 5mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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DIODES(美台) |
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SOT-23 |
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ZETEX |
21+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT23 |
25630 |
原装正品 |
询价 |
