BFS17P分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BFS17P |
| 参数属性 | BFS17P 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
242.46 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-11 14:20:00 |
| 人工找货 | BFS17P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BFS17P规格书详情
BFS17P属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFS17P晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
BFS17PE6752HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
1.4GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3.5dB @ 800MHz
- 功率 - 最大值:
280mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 2mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
25mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
PG-SOT23
- 描述:
RF TRANS NPN SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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