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BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181ES	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181H	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181P	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181S	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BH181	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSM181	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5mΩ ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSM181F	文件：226.26 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchFREDFETNchannelEnhancementmode) VDS=800V ID=34A RDS(on)=0.32Ω ●Powermodule ●Singleswitch ●FREDFET ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSM181R	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5mΩ ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
C-181-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO

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详细参数

型号：
BFR181T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon RF Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BFR181T供应商更新时间2025-5-14 14:00:00

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