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BFP620_10	文件：641.59 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：641.59 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620_13	文件：665.57 Kbytes Page：10 Pages	Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor 文件：665.57 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620F	文件：629.26 Kbytes Page：9 Pages	Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor 文件：629.26 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：154.82 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620F_07	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：154.82 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620F_13	文件：629.26 Kbytes Page：9 Pages	Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor 文件：629.26 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620F	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声RF 管基 • 高增益低噪声射频晶体管\n• 小型封装 1.4 x 0.8 x 0.59 毫米\n• 1.8 GHz 时具有出色的噪声系数 F = 0.7 dB，6 GHz 时具有出色的噪声系数 F = 1.3 dB\n• 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21 dB，6 GHz 时 Gma = 10 dB\n• 镀金处理，可靠性更高\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP620FH7764XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP	Infineon 英飞凌	Infineon

晶体管资料

型号：
BFP620
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调频（FM）_调幅（AM）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.02A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG110C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
0.02
wtest：
0.3

技术参数

Gmax：
21.50 dB @1800 MHz
ICmax：
80 mA
NFmin：
0.70 dB @1800 MHz
OIP3：
25.5 dBm
OP1dB：
14.5 dBm
Ptot：
185 mW
VCEOmax：
2.3 V
Package：
SOT343

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