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BFG540/X	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	丝印：tMM；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG540/X	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	丝印：tMM；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：159.22 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG540/XR	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	丝印：tMR；Package：SOT-143R；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：159.22 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG540/XR	文件：312.12 Kbytes Page：14 Pages	丝印：-MR；Package：SOT-143R；NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistors, intended for wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, satellite TV tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre 文件：312.12 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BFG540/XR	文件：306.4 Kbytes Page：13 Pages	丝印：tMR；Package：SOT-143R；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, 文件：306.4 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BFG540/XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	丝印：tMR；Package：SOT-143R；RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG540/XR	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	丝印：-MR；Package：SOT-143R；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG540SLASHX	文件：312.12 Kbytes Page：14 Pages	丝印：-MM；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistors, intended for wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, satellite TV tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre 文件：312.12 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BFG540SLASHX	文件：306.4 Kbytes Page：13 Pages	丝印：tMM；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, 文件：306.4 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BFG540SLASHX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	丝印：tMM；Package：SOT-143B；RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP

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晶体管资料

型号：
BFG540
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.12A
最大工作频率：
9GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.12
wtest：
0

技术参数

VCEO(V)：
15
ICM(mA)：
120
PT(W)：
0.4
2(dB)：
15
NF(dB)：
1.9
GUM(dB)：
18
@Vce(V)：
8
@Ic(mA)：
40
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT143B
兼容型号：
ON4832;/X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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