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BFG540_18

isc Silicon NPN RF Transistor

文件:343.31 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

BFG540_19

isc Silicon NPN RF Transistor

文件:245.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BFG540_2015

NPN 9 GHz wideband transistor

文件:138.25 Kbytes 页数:16 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG540W_15

NPN 9 GHz wideband transistor

文件:136.6 Kbytes 页数:16 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG540W_2015

NPN 9 GHz wideband transistor

文件:136.6 Kbytes 页数:16 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG540X

isc Silicon NPN RF Transistor

文件:343.31 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

BFG541_15

NPN 9 GHz wideband transistor

文件:119.42 Kbytes 页数:12 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG541_2015

NPN 9 GHz wideband transistor

文件:119.42 Kbytes 页数:12 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG540

NPN高频低噪声晶体管

RM TECHNOLOGY

瑞美科

RM TECHNOLOGY

BFG540/X

RF放大器

SLKOR

萨科微

晶体管资料

  • 型号:

    BFG540

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_超高频/特高频 (UHF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.12A

  • 最大工作频率:

    9GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-17

  • vtest:

    20

  • htest:

    9000000000

  • atest:

    0.12

  • wtest:

    0

技术参数

  • VCEO(V):

    15

  • ICM(mA):

    120

  • PT(W):

    0.4

  • 2(dB):

    15

  • NF(dB):

    1.9

  • GUM(dB):

    18

  • @Vce(V):

    8

  • @Ic(mA):

    40

  • @fT(GHz):

    0.9

  • Package:

    SOT143B

  • 兼容型号:

    ON4832;/X

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更多BFG54供应商 更新时间2026-3-10 23:00:00