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BFG520W/X	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	丝印：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：154.23 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG520WSLASHX	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	丝印：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：154.23 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG520WSLASHX	文件：304.75 Kbytes Page：15 Pages	丝印：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：304.75 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BFG520W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520_18	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor 文件：281.9 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFG520W_15	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFG520W_2015	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
BFG520
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
9GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.07
wtest：
0

技术参数

IC(A)：
70mA
PD(W)：
300mW
VCE(sat)(V)：
6V
fT(MHz)：
9GHz
Package：
SOT-143R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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