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BF998WR	文件：94.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package with source and substrate interconnected. The transistor is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. FEATURES • High forward 文件：94.6 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BF998WR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BF998_07	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 文件：93.08 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF998_08	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BF998_15	文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-channel dual-gate 文件：85.28 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998_2015	文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：85.28 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BF998A-GS08	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	丝印：MOR；Package：SOT-143R；Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 文件：93.08 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：114.27 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Cg1ss：
2.1 pF
F：
1.8 dB
gfs：
24 mS
Gp：
20 dB
ID max：
30 mA
Ptotmax：
200 mW
Power gain Gp：
20 dB @800 MHz
Noise figure F：
1.80 dB @800 MHz
Package：
SOT143
Maximum Drain-source voltage Vds：
12 V
Maximum Continuous Drain current ID：
30 mA
Gate input capacitance Cg1ss：
2.1 pF
Forward transconductance gfs：
24 mS
Output capacitance Cdss：
1.1 pF

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