BF998A资料datasheet下载贸易商威世科技-114ic电子网

首页 >BF998A>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
BF998A	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998A-GS08	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode	VishayVishay Siliconix 威世科技
AS998	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ICintendedforuseasaPWMcontroller	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BF998	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BF998	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF998	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998	文件：180.2 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENS Siemens Ltd
BF998	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BF998	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BF998B	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998R	文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)	SIEMENS Siemens Ltd
BF998R	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998R	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BF998R	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF998R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BF998RA	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技

12 3 4 >>>

详细参数

型号：
BF998A
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	BF998A	INFINEON	23+	SOT-143	6680	全新原装优势	询价
深圳市维尔达电子有限公司	BF998A	VIS	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BF998A	INFINEON/英飞凌	2021+	SOT-143	15000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市创新迹电子有限公司	BF998A	VIS	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BF998A	VIS	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	BF998A-GS08	VISHAY	2017+	SOT143	23589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	BF998A-GS08	VISHAY	2008++	SOT-143SOT-23-4	7666	新进库存/原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BF998A-GS08	VISHAY	2016+	SOT-143	6528	只做原装正品现货!或订货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	BF998A-GS08	VISHAY	2016+	SOT-143	6000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	BF998A-GS08	AIMTRON	23+	SSOP-8	42500	原装正品,假一罚十	询价

更多BF998A供应商更新时间2024-4-27 14:04:00

详细参数

相关规格书

相关库存